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12 英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）（WLU-FW-KS-NM-2026-1322）采购公告

公告-招标公告

浙江 -杭州

发布时间： 2026年10月21日

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氮化硅光子晶圆工艺开发

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项目名称项目编号公告开始日期公告截止日期采购单位付款方式联系人联系电话签约时间要求到货时间要求预算总价发票要求含税要求送货要求安装要求收货地址供应商资质要求公告说明

12 英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）	****
2026-10-21 16:42:20	2026-10-30 17:00:00
****	内贸部分：货到验收合格后付全款


￥230000.00





符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购清单1

采购商品采购数量计量单位所属分类

12 英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）

项

品牌型号预算单价技术参数及配置要求参考链接售后服务

￥ 230000.00

一、技术服务目标受托方应为委托方完成"12 英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）"晶圆的工艺开发与制备服务，具体目标如下： 1. 完成 4 片 12 英吋（300 mm）氮化硅光子晶圆的加工，片内集成氮化硅光波导、布拉格光栅及环形/级联微腔测试结构，满足委托方提供的设计版图及本合同技术规格要求； 2. 关键工艺指标：布拉格光栅周期 ≤400 nm（周期公差 ± 5 nm），光栅线宽 ≤200 nm（线宽公差 ± 15 nm）；氧化硅下包层厚度 ≥4.0 μm（热氧化工艺）；氮化硅波导层厚度 300 ± 5 nm；波导传输损耗 ≤1.5 dB/cm（@1530–1565 nm，TE 偏振，经 spiral 波导 cut-back 拟合与环形腔本征 Q 值双重表征）；二、技术服务方式 1. 加工模式：本服务采用专用批次加工模式，4片晶圆作为一个批次投片，由受托方 12 英吋产线完成全套工艺流程； 2. 技术协作方式：双方指定项目对接人，采用"版图冻结 → 设计规则检查（DRC）确认 → 工艺流转 → 过程数据汇报 → 完工验收"的流程推进；投片前受托方应对委托方 GDS 版图完成 DRC 检查及 dummy fill 填充，并将检查结果书面反馈委托方确认后方可投片； 3. 完工验证方式：受托方在晶圆完工后采用片级光纤耦合自动探针台（或划片后测试）对内置 spiral 波导损耗测试组及环形谐振腔进行测试：损耗由不同长度 spiral 波导的 cut-back 线性拟合提取（扣除耦合损耗），并由环形腔谐振谱拟合本征 Q 交叉验证，提供损耗统计报告（均值 + 3σ，覆盖中心/边缘 ≥9 个 die） 4. 质量保障方式：受托方应保证所提供的加工服务符合国家/行业标准及本合同约定；出现整批性工艺超差的，受托方应承担返工或重新投片责任；片内个别 die 超差不构成违约，但应在报告中如实标注。三、技术服务内容受托方提供的加工服务内容包括但不限于以下事项：（一）晶圆与薄膜制备 1. 12 英寸抛光硅片（P 型掺硼，电阻率 1–10 Ω﹒cm）备料与清洗； 2. 热氧化制备 SiO 下包层，厚度 4.0 ± 0.2 μm，提供膜厚均匀性 mapping 报告（片内 ±3%，9 点以上）； 3. PECVD 淀积低应力氮化硅薄膜，厚度 300 ± 5 nm，片内均匀性 ≤ ±3%、片间 ≤ ±5%，应力绝对值 ≤200 MPa，表面粗糙度 RMS ≤0.5 nm；（二）光刻与刻蚀 4. 采用 193 nm 浸没式光刻完成图形转移（单次曝光），支持光栅周期 ≤400 nm、线宽 ≤200 nm 的精细图形； 5. 线宽公差 ±15 nm、周期公差 ±5 nm、片内 CD 均匀性（3σ）报告；刻蚀深度 300 ± 10 nm 全刻蚀至下包层，侧壁角 85–90°；波导-微环耦合间距抽测公差 ±15 nm； 6. 提供 CD-SEM 关键尺寸抽测及侧壁形貌报告；（三）测试结构加工与量测 7. 每片晶圆内置 cut-back spiral波导、环形谐振腔（含与主设计一致的耦合间距抽测组）； 8. 片级传输测试（1530–1565 nm，TE 偏振）：波导损耗 ≤1.5 dB/cm，由不同长度 spiral 波导的 cut-back 线性拟合提取（扣除输入/输出耦合损耗），并由环形腔谐振谱拟合本征 Q 进行交叉验证； 9. 膜厚/线宽/损耗 mapping 统计报告（均值 + 3σ）；（四）交付 10. 交付 4片加工完成的晶圆（掩膜版制造费用委托方承担），全套量测与测试报告（纸质 + 电子数据）； 11. 交付周期：自版图确认之日起 4 周。

招标进度跟踪

2026-10-21

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