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该项目建设用地约96.8亩,土地性质为工业用地,****管委会负责:
*项目产能目标为:到2024年实现年产7万片SiC基材料、1万片碳化硅基GaN材料;
*产品包括6英寸SiC抛光片+外延片(年产7万片)、4英寸SiC衬底GaN外延片(年产1万片);
*本项目产品生产主要有三大工序:一是原料处理和长晶,主要设备为长晶炉。二是对晶体进行加工,包括切磨抛加工设备和检测、包装设备等。晶体加工后得到SiC衬底片产品。三是SiC同质外延、SiC基GaN异质外延